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先進(jìn)封裝大戰(zhàn)，升級(jí)！以下文章來(lái)源于半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ，作者L晨光 在摩爾定律減速的同時(shí)，計(jì)算需求卻在暴漲。隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能、自動(dòng)駕駛等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)算力芯片的效能要求越來(lái)越高。 多重挑戰(zhàn)和趨勢(shì)下，半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始探索新的發(fā)展路徑。 其中，先進(jìn)封裝成為一條重要賽道，在提高芯片集成度、縮短芯片距離、加快芯片間電氣連接速度以及性能優(yōu)化的過(guò)程中扮演了重要角色。 根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將由2022年的443億美元，增長(zhǎng)到2028年的786億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率為10.6%。此外，先進(jìn)封裝的市場(chǎng)比重將逐漸超越傳統(tǒng)封裝，成為封測(cè)市場(chǎng)貢獻(xiàn)主要增量。
市場(chǎng)潛力之下，這個(gè)傳統(tǒng)上屬于OSAT和IDM的領(lǐng)域，如今開(kāi)始涌入來(lái)自不同商業(yè)模式的玩家，包括晶圓代工廠、設(shè)計(jì)廠商等紛紛搶灘，積極布局先進(jìn)封裝技術(shù)。 全產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)齊頭涌入，恰恰說(shuō)明了先進(jìn)封裝技術(shù)的不可或缺。而如今，隨著先進(jìn)封裝技術(shù)不斷創(chuàng)新，市場(chǎng)參與者和商業(yè)模式正在不斷擴(kuò)大和演變，這一領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)變得越來(lái)越激烈。 群雄打響先進(jìn)封裝“大戰(zhàn)” 2011年，臺(tái)積電技術(shù)專家余振華帶來(lái)了第一個(gè)產(chǎn)品——CoWoS。 CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）是一種2.5D的整合生產(chǎn)技術(shù)，由CoW和oS組合而來(lái)：先將芯片通過(guò)Chip on Wafer（CoW）的封裝制程連接至硅晶圓，再把CoW芯片與基板（Substrate）連接，整合成CoWoS。據(jù)悉，這是蔣尚義在2006年提出的構(gòu)想。
臺(tái)積電CoWoS結(jié)構(gòu)示意圖 CoWoS的核心是將不同的芯片堆疊在同一片硅中介層實(shí)現(xiàn)多顆芯片互聯(lián)。在硅中介層中，臺(tái)積電使用微凸塊（μBmps）、硅穿孔（TSV）等技術(shù)，代替?zhèn)鹘y(tǒng)引線鍵合用于裸片間連接，大大提高了互聯(lián)密度以及數(shù)據(jù)傳輸帶寬。 CoWoS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了提高系統(tǒng)性能、降低功耗、縮小封裝尺寸的目標(biāo)，從而也使臺(tái)積電在后續(xù)的封裝技術(shù)保持領(lǐng)先。 這也是目前火熱的HBM內(nèi)存、Chiplet等主要的封裝技術(shù)。 據(jù)悉，繼英偉達(dá)10月確定擴(kuò)大下單后，蘋果、AMD、博通、Marvell等重量級(jí)客戶近期也對(duì)臺(tái)積電追加CoWoS訂單。臺(tái)積電為應(yīng)對(duì)上述五大客戶需求，加快CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能擴(kuò)充腳步，明年月產(chǎn)能將比原訂倍增目標(biāo)再增加約20%，達(dá)3.5萬(wàn)片——換言之，臺(tái)積電明年CoWoS月產(chǎn)能將同比增長(zhǎng)120%。 同時(shí)，臺(tái)積電根據(jù)不同的互連方式，把“CoWoS”封裝技術(shù)分為三種類型：
多年來(lái)，CoWoS一直在追求不斷增加硅中介層尺寸，以支持封裝中的處理器和HBM堆棧。臺(tái)積電通過(guò)長(zhǎng)期的技術(shù)積累和大量成功案例，目前CoWoS封裝技術(shù)已迭代到了第5代。 筆者在此前文章《代工巨頭“血拼”先進(jìn)封裝》中提到：雖然CoWoS能夠?yàn)樾酒善穾?lái)優(yōu)勢(shì)，但受限于成本，在推出的早期只有少數(shù)廠家的高端產(chǎn)品采用，對(duì)此，臺(tái)積電決定給CoWoS做“減法”，開(kāi)發(fā)出了廉價(jià)版的CoWoS技術(shù)，即InFO技術(shù)。 相較于在硅晶圓中間布線做連接的CoWoS技術(shù)，InFO封裝把硅中介層換成了polyamide film材料，從而降低了單位成本和封裝高度。這也是InFO技術(shù)在移動(dòng)應(yīng)用和HPC市場(chǎng)成功的重要原因，為臺(tái)積電后來(lái)能獨(dú)占蘋果A系列處理器打下了關(guān)鍵基礎(chǔ)。
除了CoWoS和InFO，臺(tái)積電還有其他先進(jìn)封裝技術(shù)。 2018年4月，臺(tái)積電首度對(duì)外界公布了創(chuàng)新的系統(tǒng)整合單芯片(SoIC)多芯片3D堆疊技術(shù)。 SoIC是基于臺(tái)積電的CoWoS與多晶圓堆疊(WoW)封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)的新一代創(chuàng)新封裝技術(shù)，這標(biāo)志著臺(tái)積電已具備直接為客戶生產(chǎn)3D IC的能力。 作為業(yè)內(nèi)第一個(gè)高密度3D chiplet堆疊技術(shù)，SoIC被看作“3D封裝最前沿”技術(shù)。臺(tái)積電表示，SoIC能提供創(chuàng)新的前段3D芯片堆疊技術(shù)，用于重新集成從SoC劃分的小芯片，最終的集成芯片在系統(tǒng)性能方面優(yōu)于原始SoC，并且它還提供了集成其他系統(tǒng)功能的靈活性。相較2.5D封裝方案，SoIC的凸塊密度更高，傳輸速度更快，功耗更低。
據(jù)業(yè)內(nèi)透露，目前臺(tái)積電SoIC技術(shù)剛剛起步，今年底月產(chǎn)能約1900片，預(yù)期明年將超過(guò)3000片，增幅近60%；2027年有望拉升到7000片以上，是今年底水平的約3.7倍，年復(fù)合增速近40%。 臺(tái)積電激進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)SoIC或與大客戶需求有關(guān)。AMD是臺(tái)積電SoIC的首發(fā)客戶，其最新AI芯片產(chǎn)品正處于量產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)明年上市的MI300芯片將采用SoIC搭配CoWoS，或?qū)⒊蔀榕_(tái)積電SoIC的一大“代表作”。 蘋果則將采用SoIC搭配熱塑碳纖板復(fù)合成型技術(shù)，目前正小量試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2025-2026年量產(chǎn)，擬應(yīng)用在Mac、iPad等產(chǎn)品，制造成本比當(dāng)前方案更具有優(yōu)勢(shì)。若未來(lái)SoIC順利導(dǎo)入筆電、手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品，有望創(chuàng)造更多需求，并大幅提升其他大客戶的跟進(jìn)意愿。 至于臺(tái)積電先進(jìn)封裝另一大客戶英偉達(dá)，其目前高階產(chǎn)品主要采用CoWoS封裝技術(shù)，但業(yè)界認(rèn)為，未來(lái)也將進(jìn)一步導(dǎo)入SoIC技術(shù)。 針對(duì)多種先進(jìn)封裝技術(shù)方案，臺(tái)積電宣布將其2.5D和3D封裝產(chǎn)品合并為一個(gè)全面的品牌3DFabric，該平臺(tái)由SoIC、CoWoS和InFO等3D堆疊和2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)所組成，進(jìn)一步將制程工藝和封裝技術(shù)深度整合，以加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力。
目前，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，臺(tái)積電的領(lǐng)先地位尤其突顯。 在先進(jìn)制程以及先進(jìn)封裝中，臺(tái)積電時(shí)刻保持“兩手抓”的狀態(tài)，以鞏固自身在晶圓制造領(lǐng)域的霸主地位。 英特爾：引領(lǐng)下一代封裝技術(shù) 作為IDM和晶圓代工大廠，英特爾也在積極布局先進(jìn)封裝。 與臺(tái)積電類似，英特爾經(jīng)過(guò)多年技術(shù)探索，也相繼推出了EMIB、Foveros和Co-EMIB等多種先進(jìn)封裝技術(shù)，力圖通過(guò)2.5D、3D等異構(gòu)集成形式實(shí)現(xiàn)互連帶寬倍增與功耗減半的目標(biāo)。 其中，EMIB是英特爾在2.5D IC上的嘗試，其全稱是“Embedded Multi-Die Interconnect Bridge”。因?yàn)闆](méi)有引入額外的硅中介層，而是只在兩枚裸片邊緣連接處加入了一條硅橋接層（Silicon Bridge），并重新定制化裸片邊緣的I/O引腳以配合橋接標(biāo)準(zhǔn)。
英特爾EMIB架構(gòu)圖 EMIB是通過(guò)非常小的凸點(diǎn)間距提供高互連密度，從而允許芯片之間具有更高帶寬，并且由于走線長(zhǎng)度較短，因此比使用有機(jī)基板具有更低的功耗。它類似于微型硅中介層，僅覆蓋小芯片之間需要連接的區(qū)域。 2018年底，英特爾推出了名為“Foveros”的全新3D封裝技術(shù)，這是繼EMIB封裝技術(shù)之后，英特爾在先進(jìn)封裝技術(shù)上的又一個(gè)突破。
據(jù)介紹，F(xiàn)overos技術(shù)可實(shí)現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片，進(jìn)行橫向和縱向之間的互連，凸點(diǎn)間距進(jìn)一步降低為50-25um。Foveros為整合高性能、高密度和低功耗硅工藝技術(shù)的器件和系統(tǒng)鋪平了道路。 英特爾表示，F(xiàn)overos可以將不同工藝、結(jié)構(gòu)、用途的芯片整合到一起，從而將更多的計(jì)算電路組裝到單個(gè)芯片上，實(shí)現(xiàn)高性能、高密度和低功耗。該技術(shù)提供了極大的靈活性，設(shè)計(jì)人員可以在新的產(chǎn)品形態(tài)中“混搭”不同的技術(shù)專利模塊、各種存儲(chǔ)芯片、I/O配置，并使得產(chǎn)品能夠分解成更小的“芯片組合”。 2019年，英特爾再次推出了一項(xiàng)新的封裝技術(shù)Co-EMIB，這是一個(gè)將EMIB和Foveros技術(shù)相結(jié)合的創(chuàng)新應(yīng)用，能夠讓兩個(gè)或多個(gè)Foveros元件互連，并且基本達(dá)到單芯片的性能水準(zhǔn)。設(shè)計(jì)人員能夠利用Co-EMIB技術(shù)實(shí)現(xiàn)高帶寬和低功耗的連接模擬器、內(nèi)存和其他模塊。 在2020年架構(gòu)日中，英特爾又展示了在3D封裝技術(shù)領(lǐng)域中的新進(jìn)展——“混合鍵合（Hybrid bonding）”技術(shù)。 當(dāng)今大多數(shù)封裝技術(shù)中使用的是傳統(tǒng)的“熱壓鍵合”技術(shù)，混合鍵合是這一技術(shù)的替代品。這項(xiàng)新技術(shù)是將具有優(yōu)良電性能的銅和銅直接連接起來(lái)，能夠加速實(shí)現(xiàn)10微米及以下的凸點(diǎn)間距，提供更高的互連密度、帶寬和更低的功率。
英特爾先進(jìn)封裝技術(shù)路線圖 筆者此前曾在文章中總結(jié)道，英特爾先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展主要關(guān)注互連密度、功率效率和可擴(kuò)展性三個(gè)方面。其中，F(xiàn)overos和混合鍵合技術(shù)主要關(guān)注功率效率、互連密度方面，而Co-emib和ODI技術(shù)則體現(xiàn)了集成的可擴(kuò)展性特點(diǎn)。從Foveros到混合鍵合技術(shù)，英特爾逐漸實(shí)現(xiàn)凸點(diǎn)間距越來(lái)越小，使系統(tǒng)擁有更高的電流負(fù)載能力、更好的熱性能。 未來(lái)，英特爾還在計(jì)劃將傳統(tǒng)基板轉(zhuǎn)為更為先進(jìn)的玻璃材質(zhì)基板，此舉旨在對(duì)材料進(jìn)行轉(zhuǎn)換以實(shí)現(xiàn)超越現(xiàn)有塑料基板限制的高性能半導(dǎo)體的嘗試。
據(jù)介紹，隨著3D封裝的普及，厚度是一個(gè)受關(guān)注的關(guān)鍵因素。減小基板的厚度是提高半導(dǎo)體封裝性能的關(guān)鍵。玻璃載板具有平坦的表面并且可以做得很薄，與ABF塑料相比，其厚度可以減少一半左右，減薄可以提高信號(hào)傳輸速度和功率效率。 同時(shí)，玻璃基板在熱學(xué)性能、物理穩(wěn)定度方面表現(xiàn)都更出色，更耐熱，因此可以在基板內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高密度的互聯(lián)。 因此，英特爾有望通過(guò)玻璃載板改進(jìn)3D封裝結(jié)構(gòu)。但該技術(shù)目前進(jìn)展較為緩慢，距離真正量產(chǎn)估計(jì)還有很長(zhǎng)一段時(shí)間。 三星：IDM與晶圓代工的雙重優(yōu)勢(shì) 除了在存儲(chǔ)器中大量使用堆疊封裝技術(shù)外，三星在高性能計(jì)算芯片上也正大力發(fā)展先進(jìn)封裝技術(shù)，旨在充分挖掘高性能計(jì)算機(jī)、AI、5G、云以及大型數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)。 三星分別于2018年、2020年推出了I-Cube（2.5D）、X-Cube（3D）兩種封裝技術(shù)。其中，I-Cube作為異質(zhì)整合技術(shù)，可將一個(gè)或多個(gè)邏輯芯片（如CPU、GPU等）和多個(gè)存儲(chǔ)芯片（如HBM）整合連接在中介層頂部。I-Cube封裝技術(shù)可與臺(tái)積電CoWoS封裝制程相抗衡，該項(xiàng)技術(shù)已投入使用，標(biāo)志著三星晶圓制造業(yè)務(wù)領(lǐng)域已從移動(dòng)設(shè)備擴(kuò)展到數(shù)據(jù)中心； X-Cube則是使用TSV技術(shù)在邏輯芯片上堆疊存儲(chǔ)器芯片，最大程度上縮短互連長(zhǎng)度，在降低功耗的同時(shí)能提高傳輸速率。 2021年，三星還推出了2.5D封裝技術(shù)H-Cube，專門用于高性能計(jì)算（HPC）、人工智能（AI）、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品等領(lǐng)域。
三星2.5D H-Cube芯片封裝解決方案 據(jù)了解，H-Cube可以整合ABF和HDI兩種不同特點(diǎn)的基板，實(shí)現(xiàn)更大的2.5D封裝。隨著HPC、AI和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用等細(xì)分市場(chǎng)的發(fā)展，安裝在同一個(gè)封裝中的芯片數(shù)量和尺寸都在增加，且需要高帶寬進(jìn)行互連，這種更大面積的封裝變得更加重要，H-Cube的出現(xiàn)也降低了HPC等市場(chǎng)的準(zhǔn)入門檻。 今年9月，為了追上臺(tái)積電AI芯片的先進(jìn)封裝，三星推出名為FO-PLP的2.5D封裝技術(shù)。借由此技術(shù)，三星預(yù)計(jì)可將SoC和HBM整合到硅中間層上，進(jìn)一步建構(gòu)其成為一個(gè)完整的芯片。據(jù)悉，F(xiàn)O-PLP的基板是方形，而臺(tái)積電的CoWoS是圓形基板，F(xiàn)O-PLP不會(huì)有邊緣基板損耗問(wèn)題，有較高的生產(chǎn)效率。但由于要將芯片由晶圓移植到方形基板，其作業(yè)較為復(fù)雜。 前不久，三星又宣布將在2024年推出名為"SAINT"（Samsung Advanced Interconnection Technology）的全新3D半導(dǎo)體封裝技術(shù)。 據(jù)悉，最新的封裝技術(shù)SAINT包括SAINT S（垂直堆疊SRAM內(nèi)存和CPU），SAINT D（用于CPU、GPU和內(nèi)存的垂直封裝），SAINT L（用于堆疊應(yīng)用處理器）。這一技術(shù)的引入旨在應(yīng)對(duì)生成式AI和終端裝置AI的快速發(fā)展，將成為三星電子在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的重要一步。 此外，三星還計(jì)劃在2024年量產(chǎn)可處理比普通凸塊更多數(shù)據(jù)的X-Cube（u-Bump）封裝技術(shù)，并預(yù)計(jì)2026年推出比X-Cube(u-Bump)處理更多數(shù)據(jù)的無(wú)凸塊型封裝技術(shù)。據(jù)悉，三星在2021年還對(duì)外宣稱正在開(kāi)發(fā)“3.5D封裝”技術(shù)，目前還未有最新消息。 除了在產(chǎn)品創(chuàng)新上進(jìn)行投入布局外，三星電子去年開(kāi)始還積極推進(jìn)封裝基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和人才引進(jìn)。2022年12月，三星電子成立了先進(jìn)封裝（AVP）部門，負(fù)責(zé)封裝技術(shù)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，目標(biāo)是用先進(jìn)的封裝技術(shù)超越半導(dǎo)體的極限。 三星AVP業(yè)務(wù)副總裁暨團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kang Moon-soo指出，三星電子是世界上唯一一家同時(shí)從事存儲(chǔ)器、邏輯芯片代工和封裝業(yè)務(wù)的公司。因此，三星將利用這些優(yōu)勢(shì)提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的封裝產(chǎn)品，連接高性能存儲(chǔ)器，例如通過(guò)異質(zhì)整合技術(shù)，并經(jīng)由EUV制造技術(shù)生產(chǎn)最先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體和HBM。 相比臺(tái)積電和英特爾，盡管三星電子的先進(jìn)封裝投資稍顯遲緩，但也能看到這兩年在先進(jìn)封裝上的押注也非常大。 SK海力士：將2.5D Fan-out封裝帶進(jìn)內(nèi)存行業(yè) 近日，據(jù)businesskorea報(bào)道，SK海力士正準(zhǔn)備推出“2.5D扇出”封裝作為其下一代存儲(chǔ)半導(dǎo)體技術(shù)。 由于今年在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的成功表現(xiàn)，SK海力士對(duì)下一代芯片技術(shù)領(lǐng)域充滿信心，正在加緊努力通過(guò)開(kāi)發(fā)“專業(yè)”內(nèi)存產(chǎn)品來(lái)確保技術(shù)領(lǐng)先地位。 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士正準(zhǔn)備將2.5D Fan-out封裝技術(shù)集成到繼HBM之后的下一代DRAM中。這項(xiàng)新技術(shù)將兩個(gè)DRAM芯片水平排列，然后將它們組合起來(lái)，就像是一個(gè)芯片一樣。一個(gè)特征是可以將芯片變得更薄，因?yàn)樗鼈兿旅鏇](méi)有添加基板。SK海力士預(yù)計(jì)最早將于明年公開(kāi)披露使用這種封裝制造的芯片的研究結(jié)果，新技術(shù)的推出也表明SK海力士正在向能夠匹配寬接口和成本效率的新方法邁進(jìn)。 能看到，SK海力士的嘗試相當(dāng)獨(dú)特，因?yàn)?.5D Fan-out封裝此前從未在內(nèi)存行業(yè)嘗試過(guò)，該技術(shù)主要應(yīng)用于先進(jìn)系統(tǒng)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。臺(tái)積電于2016年首次將扇出晶圓級(jí)封裝（FOWLP）商業(yè)化，用于生產(chǎn)iPhone的應(yīng)用處理器，從而獲得了蘋果的信任。三星電子從今年第四季度開(kāi)始將這項(xiàng)技術(shù)引入到Galaxy智能手機(jī)的先進(jìn)AP封裝中。SK海力士采用這種新封裝的主要原因之一是為了削減成本，業(yè)界將2.5D扇出封裝視為一種可以跳過(guò)TSV工藝的同時(shí)，增加I/O接口數(shù)量來(lái)降低成本的技術(shù)。業(yè)界推測(cè)這種封裝技術(shù)將應(yīng)用于GDDR和其他需要擴(kuò)展信息I/O的產(chǎn)品中。綜合來(lái)看，SK海力士利用這項(xiàng)技術(shù)搶占小批量、多樣化的內(nèi)存產(chǎn)品的趨勢(shì)的戰(zhàn)略正在變得更加清晰。SK海力士正在鞏固與世界知名GPU公司Nvidia的合作；還有一個(gè)例子是，SK海力士為蘋果新AR設(shè)備“Vision Pro”中安裝的“R1”計(jì)算單元生產(chǎn)并提供了特殊DRAM。SK海力士總裁Kwak No-jung表示：“在人工智能時(shí)代，我們將把存儲(chǔ)半導(dǎo)體創(chuàng)新為針對(duì)每個(gè)客戶的差異化專業(yè)產(chǎn)品�！� AMD：Fabless也在不遺余力 在先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)方面，沒(méi)有芯片工廠的AMD也在不遺余力，特別是在HBM和GPU、CPU封裝方面。 在ISSCC 2023國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)上，AMD提出了多種新的封裝設(shè)想，其中之一是在服務(wù)器CPU模塊內(nèi)部直接堆疊內(nèi)存，而且是多層堆疊。一種方式是將CPU模塊和內(nèi)存模塊并排封裝在硅中介層上；另一種方式是在計(jì)算模塊上方直接堆疊內(nèi)存，有點(diǎn)像手機(jī)SoC。
AMD表示，這種設(shè)計(jì)可以讓計(jì)算核心以更短的距離、更高的帶寬、更低的延遲訪問(wèn)內(nèi)存，還能降低功耗。如果堆疊內(nèi)存容量足夠大，主板上的DIMM插槽都可以省了。 AMD甚至考慮在Instinct系列GPU已經(jīng)整合封裝HBM的基礎(chǔ)上，繼續(xù)堆疊DRAM，但只有一層，容量不會(huì)太大。這樣做的最大好處是一些關(guān)鍵算法可以直接在此DRAM內(nèi)執(zhí)行，不必在CPU和獨(dú)立內(nèi)存之間往復(fù)通信，從而提升性能、降低功耗。 AMD還設(shè)想在2D/2.5D/3D封裝內(nèi)部，集成更多模塊，包括內(nèi)存、統(tǒng)一封裝光網(wǎng)絡(luò)通道物理層、特定域加速器等，并引入高速標(biāo)準(zhǔn)化的芯片間接口通道（UCIe）。 11月21日，美國(guó)政府新宣布將投入約30億美元資金，用于芯片先進(jìn)封裝行業(yè)。鑒于美國(guó)在全球芯片封裝產(chǎn)能中的占比相對(duì)較低，這一舉措旨在提高美國(guó)在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的市場(chǎng)份額，補(bǔ)足其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的短板。 美國(guó)商務(wù)部副部長(zhǎng)勞里·洛卡西奧在宣布這一投資計(jì)劃時(shí)表示：“在美國(guó)制造芯片，然后把它們運(yùn)到海外進(jìn)行封裝，這會(huì)給供應(yīng)鏈帶來(lái)風(fēng)險(xiǎn)。這項(xiàng)投資計(jì)劃將有助于確保美國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上的各個(gè)環(huán)節(jié)都具有競(jìng)爭(zhēng)力�！� 無(wú)論如何，美國(guó)大力開(kāi)拓先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)，也被認(rèn)為是看中了先進(jìn)封裝領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的機(jī)遇。 此外，聯(lián)電、格芯、中芯國(guó)際等晶圓代工企業(yè)，以及日月光、國(guó)內(nèi)封測(cè)三雄（長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技）也都看到了先進(jìn)封裝的發(fā)展前景，展開(kāi)積極布局，聚焦先進(jìn)封裝技術(shù)和解決方案。 寫在最后 后摩爾時(shí)代，先進(jìn)封裝正在成為各大廠商的發(fā)力點(diǎn)和必然選擇，不同商業(yè)模式的企業(yè)都在同一個(gè)高端封裝市場(chǎng)空間展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。 但不同業(yè)態(tài)的廠商，在封裝業(yè)務(wù)方面投入的資源也有所不同，技術(shù)發(fā)展路線也存在差異。 以Foundry為例，由于2.5D/3D封裝技術(shù)中涉及前道工序的延續(xù)，晶圓代工廠對(duì)前道制程非常了解，對(duì)整體布線的架構(gòu)有更深刻的理解，走的是芯片制造+封裝高度融合的路線。因此，在高密度的先進(jìn)封裝方面，F(xiàn)oundry比傳統(tǒng)OSAT廠更具優(yōu)勢(shì)。 這也使得先進(jìn)封裝成為當(dāng)前業(yè)內(nèi)幾大主流半導(dǎo)體晶圓制造廠商重點(diǎn)發(fā)展的技術(shù)。臺(tái)積電、英特爾和三星等代工巨頭已成功利用先進(jìn)封裝市場(chǎng)的增長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)了其技術(shù)壁壘的不斷提升。 而SK海力士，則試圖抓住存儲(chǔ)在AI時(shí)代與大算力芯片強(qiáng)結(jié)合的市場(chǎng)紅利，躋身先進(jìn)封裝領(lǐng)域分一杯羹。 總體而言，先進(jìn)封裝的出現(xiàn)，讓業(yè)界看到了通過(guò)封裝技術(shù)推動(dòng)芯片高密度集成、性能提升、 體積微型化和成本下降的巨大潛力，先進(jìn)封裝技術(shù)正成為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新引擎。 當(dāng)前，新賽道卡位競(jìng)爭(zhēng)激烈，新老玩家都在奮力搶奪一張通往先進(jìn)封裝時(shí)代的“船票”。 來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察，作者L晨光 注：文內(nèi)信息僅為提供分享交流渠道，不代表本公眾號(hào)觀點(diǎn) |
